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IXFT 10N100
IXFT 12N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-268 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
6
10
4000
310
70
21
50
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
33
62
32
122
30
50
50
100
50
155
45
80
0.42
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
10N100
12N100
10N100
12N100
10
12
40
48
A
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
2
10
15
250
400
ns
ns
μ C
μ C
A
A
Min Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
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